Bipolar transistors data tables / Transistoren Datentabellen
back

next page: LAE4002Rforw

LAE4001R


Silicon NPN Transistor

SOT100
Uce/Ucb: 25/30V
Ic: 80mA
β (Ic/Ib): 20-220
N: 480mW
F: 4GHz
Tmax: 200°C
the LAE4001R is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use in common emitter class A linear power amplifiers up to 4GHz
Source: PSC Philips Data Handbook SC15

Advanced Information for: LAE4001R

OEM Philips Semiconductors
pkg details: SOT100
complementary: complementary search 
similar types: similar search 
the LAE4001R similar search accesses the database for types with the same values, complementary toggles PNP/NPN to find a matched type

This page uses cookies, please agree using cookies. Diese Seite verwendet Cookies. Bitte stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. There's no warranty
or liability for the given information. Ich übernehme keine Gewähr für die hier gemachten Angaben, jegliche Form von Haftung wird ausdrücklich ausgeschlossen.








file http://www.semicon-data.com/transistor/tc/la/LAE4001R.html ; created: Mon, 20 Mar 2017 18:33:13 +0100Europe/Berlin from 80.139.136.38